电子束曝光系统 (EBL)

21世纪是纳米科技时代，纳米加工是纳米科技的关键技术。纳米通用图形发生器是纳米加工的重要装备。它可以配备到扫描电子显微镜（SEM）、聚焦离子束系统(FIB)上，构建成纳米加工设备，进行纳米图形加工和纳米微结构制造。它适用于科研院所和高等院校的半导体、光电子、MEMS实验室的100nm以下光刻工作。

设备技术指标

一．电子光学系统

1.1  乌灯丝发射电子束源的加速电压可以达到30kv；

1.2  观察分辨率 高真空模式3.0 nm (30 kV)  15.0 nm (1.0 kV)

1.3  低真空模式*1 4.0 nm (30 kV BED)

1.4  图像倍率×5～×300,000（以128 mm × 96 mm作为显示尺寸规定放大倍率）

  1.5  观察分辨率 高真空模式3.0 nm (30 kV)  15.0 nm (1.0 kV)

  1.6  EDS   功能*2 谱图分析、定性分析/定量分析、线分析（水平线分析、任意方向线分析）元素面分布、电子束追踪等

二．样品室

2.1最大样品尺寸大型全对中式 X：125 mm　Y：100mm　Z：80 mm 倾斜：－10～90°　旋转：360°

2.2图像模式二次电子像、REF像、成份像*1、形貌像*1、阴影像*1等

2.3抽真空系统完全自动　TMP：1   台、RP：1台

三、EBL单元

    3.1  扫描频率：≥10MHz；

3.2  用于X和Y方向电子束偏转的两套16位高速数模转换和控制系统

3.3  12 位高性能，小温漂的ADC图形采集系统，信噪比高。

   3.4  可以接受多种外部数据格式，如GDSII、DXF、CIF等；

3.5  高精度的6个附加的16bit乘法DAC ，用于高精度的套刻对准、多层光刻，

     以及具备亚纳米步距控制的写场校准