 |
针光刻系统（SPL）
- ： 暂无价格
-
累计评价0 -
|
技术特点：
1场发射低能电子束
l 大幅降低电子束背底散射
l 几乎消除电子束临近效应
l 无需调制电子束聚光
l 10 nm 以下光刻精度
l 接近原子级分辨的套刻精度
l 线写速度高达 300 μm/s
l 大气环境下可实现正负光刻
l 正光刻流程无需显影步骤
l 大范围分步重复工艺
l Mix & Match 混合光刻模式
l 闭环系统：光刻成像同一针尖反复交替进行
l 多针尖并联阵列提高效率
产品规格
光刻模式 | 正光刻、负光刻 |
工作环境 | 大气、真空 |
最小线宽 | 5 nm （验收指标） |
直写速度 | 300 μm/s |
套刻精度 | < 7 nm |
拼接精度 | < 10 nm |
最大光刻区域 | 200 μm x 200 μm |
最大样品尺寸 | 直径：150 mm （6 英寸） |
占用空间 | 80 cm x 100 cm x 190 cm |
探针扫描头配置
工作模式
顶部XYZ扫描头
扫描范围
（XYZ） 10 μm × 10 μm × 5 μm 可扩展至 200 μm × 200 μm
定位精度（XYZ）
0.01 nm；0.01 nm；0.01 nm
传感器
压阻闭环传感
输入/输出频道
3
样品台配置
工作模式
底部XY定位器
运动范围（XY）
18 mm × 18 mm 可扩展 150 mm × 150 mm
最大运动速度
20 mm/s
运动精度
7 nm
运动重复性
80 nm （每运动100 μm）
AFM功能参数
样品/探针接近
自动（无需激光对准）
探针调谐
自动
悬臂梁激发模式
双材料热机械激发
检测原理
压阻读数
扫描模式
接触式，非接触式
探针移动范围
20 mm × 20 mm × 10 mm
精度
< 10 nm
重复性
± 25 nm
AFM成像范围
10 μm × 10 μm × 5 μm 可扩展至 200 μm × 200 μm
本底噪声
0.01 nm rms 垂直方向
横向精度
99.7% 闭环扫描
扫描速度
0.01 线/秒 至 10 线/秒
实时图像显示
二维、三维形貌,相位,频移,振幅
电子配置
分辨率 振幅/相位
16-bit
反馈控制平台
实时FPGA
带宽
8 MHz
计算机接口
USB, 以太网可选
传感器调节
0-4 V可编程电桥
软件
实时修正
线, 面, 多项式
轮廓线测量
YES
粗糙度测量
YES
对比度/亮度/色彩调节
YES
3D 图像
YES
线平均
YES
图像输出
bmp, png, jpg格式
原始数据输出
txt格式
图像后续处理软件
Gwyddion, WSxM
