用途：设备可在①4-8英寸片状或类似形状样品表面沉积 SiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、纳米硅、SiC、类金刚石等多 种薄膜，并可沉积P型、n型薄膜。沉积的薄膜具有良好的均 匀性、致密性、黏附性、绝缘性。适用于科研院所、大专院校、 生产企业的科学研究、教学。
系统安全：通过软、硬件相互配合的传感技术、互锁技术、 超时控制、智能监控、在线状态记忆、断点保护、安全日志、 操作日志等设计，使设备的安全性、可靠性得到有效保证。不 会因操作失误导致设备故障。
应用领域微电子、光电子、通讯、微机械、新材料、新能源等。
真空获得：分子泵+罗茨泵机组
沉积室数量：单室
样品有效沉积尺寸：[PECVD-6O1] 0>6英寸 [PECVD-801]中8 英寸
加热温度：基本配置300°C,或用户定制更高温度
沉积不均匀性：±3%- ±5%
沉积速率：20nm - 600nm/min （视具体材料与工艺）
气路数量与种类：标配4路气体，或用户选配
沉积距离调节：支持20mm - 60mm
危险气体掺杂：可选配
操作方式：全自动方式、半自动方式
