 |
详细说明
ICP 感应耦合等离子体刻蚀设备
- ： 暂无价格
-
累计评价0 -
|
用途：本设备既有纯化学刻蚀模式，也有物理化学结合模式 刻蚀，可以对亚微米以下的线条进行干法刻蚀，以形成精细图 形，较RIE具有更好的综合刻蚀效果且应用更广泛，既可对 细线条（纳米级）加工，又可进行整体材料加工。具有选择比高、 刻蚀速率较快、重复性好等优点。
设备主要用于常规样片（不超过①8英寸）的刻蚀，适用于 科研院所、生产企业的科学研究、教学。可以刻蚀的材料主要 有SiO2、Si3N4、SiC、GaN、GaAs、ITO、AZO、多晶硅、硅、 光刻胶、半导体材料、部分金属等。
系统安全：通过软、硬件相互配合的传感技术、互锁技术、 超时控制、智能监控、在线状态记忆、断点保护、安全日志、 操作日志等设计，使设备的安全性、可靠性得到有效保证。不 会因操作失误导致设备故障。
应用领域:微电子、光电子、通讯、微机械、新材料、新能源等。
